Делегация Передовой инженерной школы Южного федерального университета посетила симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в Нижнем Новгороде. Это одно из крупнейших отечественных научных мероприятий в области физики наноструктур и устройств на их основе, включая сверхпроводящие, магнитные, полупроводниковые структуры, их метрологию, рентгеновскую оптику и элементную базу квантовых технологий.

Научная тематика cимпозиума охватывает широкий круг вопросов физики конденсированных сред, ее актуальность диктуется большим количеством работ в этой области в России и за рубежом и лежит в рамках одного из приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в стране. На cимпозиуме уделяется особое внимание обсуждению транспортных, оптических свойств полупроводниковых, магнитных и сверхпроводящих наноструктур, методам их изготовления и тестирования. Симпозиум позволяет провести апробацию и обсудить результаты исследований, полученные российскими учеными, систематизировать их и провести сравнительный анализ с достижениями зарубежных научных групп.

В делегацию от ПИШ ЮФУ вошли четверо молодых сотрудников Лаборатории эпитаксиальных технологий М.С. Солодовник, С.В. Балакирев, Н.Е. Черненко и Н.А. Шандыба, представившие разработки лаборатории в области гетероструктур для перспективной элементной базы оптоэлектроники.

«Учитывая специфику лаборатории, все доклады были представлены в секции полупроводниковых наноструктур и посвящены разработке и исследованию свойств гетероструктур А3В5 на основе квантовых точек и нитевидных нанокристаллов, предназначенных для создания перспективной элементной базы оптоэлектроники и фотоники», – рассказал ведущий научный сотрудник дивизиона «Электроника» Передовой инженерной школы ЮФУ Максим Солодовник.

Сотрудники ПИШ презентовали свои разработки в области:

–        гетероструктур с регулярными массивами квантовых точек для микроразмерной компонентной базы оптоэлектроники;

–        гетероструктур с квантовыми точками с улучшенными характеристиками, предназначенных для низкопороговых лазеров телекоммуникационного диапазона;

–        методов прямого формирования активных сред устройств оптоэлектроники на основе полупроводниковых структур непосредственно на подложках кремния.

«Конечно, в рамках представления своих результатов проходит своего рода их верификация экспертным сообществом. Кроме этого, как правило, расширяются контакты и появляются новые точки взаимодействия между различными научными группами и организациями, что расширяет технологические возможности, ускоряет процесс внедрения и повышает уровень технологической возможности разработок, а также позволяет своевременно корректировать дорожную карту развития лаборатории и направления, в целом», – добавил Максим Солодовник.

Текст: М.С. Солодовник, ред.: Т.Т. Пацюк.